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Flex-Axiom原子力顯微鏡 電子顯微鏡

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  • 型號(hào) Flex-Axiom
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  • 廠商性質(zhì) 其他
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更新時(shí)間:2023-12-10 10:00:18瀏覽次數(shù):1723

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產(chǎn)品簡介

Flex-Axiom型多功能原子力顯微鏡材料研究用的多功能AFM●用于材料研發(fā)的多功能原子力顯微鏡●模塊化概念可以剛好符合您的需求●適用于任何尺寸的樣品為了材料研發(fā)上的成功,科學(xué)家們依賴于能夠隨時(shí)提供所需信息的專業(yè)工具,而不管手頭的任務(wù)是什么

詳細(xì)介紹

Flex-Axiom型多功能原子力顯微鏡

1584430330611715.jpg

材料研究用的多功能AFM

●用于材料研發(fā)的多功能原子力顯微鏡

●模塊化概念可以剛好符合您的需求

●適用于任何尺寸的樣品

為了材料研發(fā)上的成功,科學(xué)家們依賴于能夠隨時(shí)提供所需信息的專業(yè)工具,而不管手頭的任務(wù)是什么。通過推進(jìn)關(guān)鍵技術(shù)與設(shè)計(jì),Nanosurf使Flex-Axiom成為成為有史以來功能多、靈活性的AFM之一,可以輕松地處理各種材料研究應(yīng)用。結(jié)合*的C3000控制器,復(fù)雜的材料表征成為可實(shí)現(xiàn)的。


幾百個(gè)研究用戶,多方面應(yīng)用實(shí)例

Flex-Axiom是您可信賴的工具,不管是在表面形貌還是計(jì)量成像上,不管在大氣中還是液體環(huán)境中。 當(dāng)然Flex-Axiom不僅僅可以用于表面形貌測量,還可以進(jìn)行*的機(jī)械,電學(xué)或磁性能表征。該系統(tǒng)也成功地用于局部樣品納米加工。


高精確度且優(yōu)異的性能滿足您研發(fā)上的需求

Flex-Axiom使用一個(gè)極其線性的電磁掃描頭進(jìn)行XY軸運(yùn)動(dòng)。該掃描頭實(shí)現(xiàn)了在整個(gè)掃描范圍內(nèi)的平均線性偏差小于0.1%,屬于AFM市場上的頂配。 Z軸采用壓電驅(qū)動(dòng),帶有位置傳感器,可實(shí)現(xiàn)閉環(huán)操作。一個(gè)靈敏的懸臂檢測系統(tǒng)可以很好地測量到MHz頻率范圍。掃描頭連接到具有數(shù)字反饋和2個(gè)雙通道鎖定放大器的全功能24位C3000控制器上。


Flex-Axiom 成像模式

以下描述為儀器所具備的模式。某些模式可能需要其他組件或軟件選項(xiàng)。詳情請(qǐng)瀏覽產(chǎn)品手冊(cè)或直接聯(lián)系我們。


靜態(tài)力模式
橫向力模式
動(dòng)態(tài)力模式(輕敲模式)
相位成像模式


熱成像模式

熱掃描顯微 (SThM)
  

磁性能

磁力顯微

電性能

導(dǎo)電探針 AFM (C-AFM)
壓電力顯微 (PFM)
靜電力顯微 (EFM)
開爾文探針力顯微 (KPFM)
掃描擴(kuò)散電阻顯微 (SSRM)

  


機(jī)械性能


力譜
力調(diào)制
剛度和模量
附著力
延展性
力映射

其他測量模式

刻蝕和納米加工
電化學(xué) AFM (EC-AFM)

應(yīng)用示例
SrTiO3在動(dòng)態(tài)模式下的的形貌
鈦酸鍶 (SrTiO3, STO)是鈦和鍶的氧化物,具有鈣鈦礦結(jié)構(gòu)。它具有有趣且部分*的材料特性。 它被用作氧化物基薄膜和高溫超導(dǎo)體生長的基質(zhì)。STO形成分層結(jié)構(gòu)的表面。各層的厚度在幾埃的范圍內(nèi)。原子力顯微鏡是成像和測量這些結(jié)構(gòu)的理想工具。

an01107-strontium-titanate-3d-to.png

顯示鈦酸鍶階梯的形貌圖,圖像尺寸1.1μm。

an01107-strontium-titanate-histo.png

截面輪廓和高度分布

樣品清晰地顯示了STO典型的層結(jié)構(gòu)。這里,這些層并不是*光滑的,顯出出大約125pm的殘余粗糙度(RMS)。這是由于在制備該STO樣品期間的非理想終止過程造成的。中間曲線圖顯示了左圖所示圖像的輪廓線,從圖像區(qū)域的左上角延伸到右下角。該輪廓還清晰地顯示了樣品的層狀結(jié)構(gòu),并揭示了層高度約.4 ?。同樣,在右側(cè)曲線圖中,左圖的高度分布直方圖清晰地顯示了大約.4 ?-即樣品的不同層之間的峰的間距。


CVD生長的二硫化鉬單層膜的形貌和KPFM

在本應(yīng)用中,使用Flex-Axiom的開爾文探針力顯微 (KPFM)對(duì)通過化學(xué)氣相沉積(CVD)生長的單層MoS2進(jìn)行成像,以研究單晶上的接觸電位差變化。 單層MoS 2是通過化學(xué)氣相沉積在硅基體上生長的 (樣品提供: 伊利諾伊大學(xué) – Urbana-Champlain).單層膜表面接觸電位信號(hào)的不均勻性可以反映摻雜分布和其他表面缺陷。

AN-01154-optical-micrograph-MoS2.png

單層MoS2光學(xué)顯微圖

AN-01154-single-MoS2-monolayer.png

a)單層MoS2AFM形貌圖 輪廓的位置是紅線標(biāo)注的地方
b) 單層膜上的高度(上圖)和KPFM電壓(下圖)分布

使用Flex-Axiom測量顯示的單層MoS2的臺(tái)階高度為0.6 nm。并行KPFM測量顯示單層膜和SiO 2基體之間的接觸電位差為650 mV。

AN-01154-Potential-overlay-MoS2.png

3D AFM形貌疊加MoS2

在下面的實(shí)驗(yàn)中,使用 Flex-Axiom 系統(tǒng)一次性記錄了KPFM和形貌數(shù)據(jù)。 也見相關(guān)的

kpfm-overlay-on-topography-of-st.jpg

不銹鋼的KPFM 圖疊加在形貌圖上
掃描大小: 80 µm x 80 µm
電位范圍: 200 mV

topography-on-stainless-steel.jpg

形貌圖本身
掃描大小: 80 µm x 80 µm
高度范圍: 50 nm

mfm-on-stainless-steel.jpg

相同區(qū)域的MFM圖
掃描大小: 80 µm x 80 µm
相位范圍: 10°


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