BW-H3TRB-C16

半導(dǎo)體高溫高濕反偏實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)

     ■每通道為 48 工位，48 工位中每個(gè)工位可進(jìn)行 Tj 測(cè)試

      ■適用于各種封裝類型的二極管、三極管、SCR、MOSFET（支持耗盡型）、IGBT 單管、IGBT 模塊、IPM 模塊、橋堆等進(jìn)行高溫高濕反偏試驗(yàn)

      ■試驗(yàn)線路及試驗(yàn)方法滿足 MIL-STD-750 Method 1037 及 AEC Q101 相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)要求

      ■80 顆/每通道×16 通道＝1280 顆(滿載實(shí)驗(yàn)數(shù)量)

      ■系統(tǒng)平均無問題運(yùn)行時(shí)間≥10000 小時(shí)

技術(shù)特點(diǎn) Technical characteristics

■實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)每個(gè)器件的反偏電壓、漏電流；

■Max電壓可達(dá)6000V;;

■對(duì)于模塊上下橋可同時(shí)加電同時(shí)監(jiān)測(cè)漏電；

■整個(gè)試驗(yàn)過程的數(shù)據(jù)(漏電流、反偏電壓、溫度、濕度) 記錄并存儲(chǔ)。并輸出為Excel  報(bào)表和繪制全過程漏電流IR 曲線

■設(shè)定漏電上限可快速切斷該回路電壓；

■可根據(jù)用戶的需求，定制各種老化板及測(cè)試程序。