精密離子減薄儀 儀器簡介：產(chǎn)品特點簡介：歐洲TechnoorgLinda公司出品的IV3及IV4離子減薄儀，為的TEM（透射電鏡）、XTEM（剖面、橫截面透射顯微鏡）及FIB（聚焦離子束）樣品制備設(shè)備之一，適用于帶有特殊制備要求的材料的高質(zhì)量樣品制備

精密離子減薄儀

儀器簡介：

產(chǎn)品特點簡介： 
歐洲Technoorg Linda公司出品的IV3及IV4離子減薄儀，為的TEM（透射電鏡）、XTEM（剖面、橫截面透射顯微鏡）及FIB（聚焦離子束）樣品制備設(shè)備之一，適用于帶有特殊制備要求的材料的高質(zhì)量樣品制備。該離子減薄儀的設(shè)計允許自由變換離子源參數(shù)，以及提供多種離子源組合。特定配置的減薄儀可在同一個腔室中進行快速離子減薄及最終拋光，無需移動樣品。我們提供的離子減薄儀，可讓用戶開展新材料和樣品制備新方法研究及對樣品制備過程進行控制。
注：常規(guī)的離子減薄儀離子源能量較大，易破壞樣品的微觀結(jié)構(gòu)，而且很難看到材料真實的自然狀態(tài)下的納米結(jié)構(gòu)；因此，采用低能離子源，在有效避免樣品的微觀結(jié)構(gòu)被損傷的基礎(chǔ)上，大大提高了電鏡圖片的清晰度，進而可以更為清楚的將材料自然狀態(tài)下的微觀結(jié)構(gòu)展現(xiàn)出來。


技術(shù)參數(shù)：

主要技術(shù)參數(shù)： 
離子能量：0.1~10keV 
離子束減薄樣品角度：0~90度 
樣品減薄速率：350um/h
超大TEM樣品薄區(qū)面積：>100um*100um
注：上述主要參數(shù)隨儀器的配置變化而有所不同


主要特點：

主要特點優(yōu)點： 
● 離子源具有多種組合方案： IV3和IV4基本配置采用兩個獨立水冷并分別控制的高能離子源（操作范圍：2 to 10 keV）。離子槍槍座的獨特設(shè)計使得在真空中機動運用離子槍成為可能，并且可從0到90度范圍內(nèi)設(shè)置任意減薄角度，提供了限度的靈活性及排除離子束減薄中的低角度陰影的可能性。IV3和IV4中的雙束調(diào)制系統(tǒng)可在樣品兩側(cè)以不同的加速電壓同時進行減薄。 
在旋轉(zhuǎn)到1/2時，離子束調(diào)制關(guān)閉束流，或者來回擺動機構(gòu)來減少熱敏樣品的溫度。離子束視場調(diào)整是由鈦樣品托的熒光特性來輔助實現(xiàn)。在IV3及IV4基本配置中的離子源是水冷的TELETWIN離子槍，用Ar離子，在2–10 keV能量范圍內(nèi)工作?？蛇x用一個聚焦高能離子槍（2 to 10 keV）來替代，以達到高減薄速率（>350 μm/h）；或選用一個低能熱陰極聚焦離子槍（100 to 2000 eV），它能確保清潔的樣品表面沒有無定形現(xiàn)象。對IV3和IV4，都可組合不同的離子源。 
● 當一個離子源選用高能離子源另一個離子源選用低能熱陰極聚焦離子槍時，可實現(xiàn)在同一設(shè)備中既有高減薄速率又有終拋光性能 
● 獨特的減速場操作：減速場運行方式為IV3及IV4的標準特點，這種擴展功能可消除優(yōu)先濺射及低角度轟擊時的離子陰影。減速場在0到2.5keV范圍時，入射離子束被彎曲掃過樣品表面。這種方法也消除了由于切線入射而產(chǎn)生的優(yōu)先刻蝕。 
● 可選反應(yīng)離子減薄、液氮冷臺及離子束斜坡切割：IV3及IV4中可選幾種其它附件，以便拓展我們的離子減薄儀中制備的材料范圍?；瘜W輔助反應(yīng)離子轟擊大幅減少了常規(guī)濺射。在化合物半導體如GaAs中，氬離子減薄會導致形成合成產(chǎn)物。IV3和IV4采用碘作為化學活性離子，用于無合成產(chǎn)物的樣品制備。IV3及IV4的標準樣品托可選配液氮冷卻裝置，這樣可減少在低角度離子轟擊期間對樣品的過熱現(xiàn)象。因而，對熱敏材料制備時，不會影響其內(nèi)部結(jié)構(gòu)。帶有可選Hauffe（豪費）樣品托的IV3及IV4在SEM應(yīng)用時，也可進行離子束斜坡切割。在離子減薄儀中能切割厚達5mm的樣品。
● 樣品交換：IV4中配有氣鎖樣品交換系統(tǒng)，可保證清潔的減薄環(huán)境，減少樣品污染及支持快速制樣的應(yīng)用
● 超大薄區(qū)：IV3和IV4的獨特設(shè)計可制備超大（> 100 μm2）的TEM可穿透薄區(qū)面積