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  • 日本 Napson EC-80P 非接觸式電阻率測(cè)試儀
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廠商性質(zhì)

經(jīng)銷(xiāo)商

型號(hào)

訪問(wèn)次數(shù)

6

產(chǎn)地

廣東深圳市

更新時(shí)間

2026/9/30 11:22:31

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日本 Napson EC-80P 非接觸式電阻率測(cè)試儀產(chǎn)品參數(shù)

產(chǎn)地 進(jìn)口 產(chǎn)品新舊 全新
**日本 Napson EC-80P 非接觸式電阻率測(cè)試儀**
日本 Napson EC-80P 屬于非接觸式無(wú)損電阻率測(cè)量設(shè)備,可測(cè)量晶圓電阻率、體電阻率與片電阻率,無(wú)需探針扎入樣品,避免樣品損傷。主機(jī)搭配可更換探頭,5 種探頭型號(hào)覆蓋不同電阻區(qū)間,支持單點(diǎn)自動(dòng)測(cè)量,探頭接觸樣品即可啟動(dòng)檢測(cè),操作簡(jiǎn)便,適合實(shí)驗(yàn)室與產(chǎn)線抽檢,保障半導(dǎo)體、導(dǎo)電薄膜樣品完整性。

日本 Napson EC-80P 非接觸式電阻率測(cè)試儀詳細(xì)信息

日本 Napson EC-80P 非接觸式電阻率測(cè)試儀日本 Napson EC-80P 非接觸式電阻率測(cè)試儀

設(shè)備基礎(chǔ)規(guī)格

  • 電阻率測(cè)量范圍:1m ~ 200Ω?cm

  • 方阻測(cè)量范圍:10m ~ 3000Ω/sq

  • 探頭分類(lèi):低、中、高、S 高、太陽(yáng)能晶圓 5 種規(guī)格探頭可選

  • 樣品要求:直徑大于 20mm,測(cè)量平面平整,不限外形

  • 主機(jī)尺寸:寬 255 × 深 275 × 高 95mm,重量 4kg

  • 探頭尺寸:直徑 20mm × 長(zhǎng)度 80mm

  • 操作方式:JOG 旋鈕設(shè)置測(cè)量條件,單點(diǎn)自動(dòng)測(cè)量

  • 核心產(chǎn)品特性EC-80P 采用非接觸式渦流檢測(cè)原理,實(shí)現(xiàn)無(wú)損檢測(cè),不會(huì)在樣品表面留下劃痕或損傷,適合高價(jià)值半導(dǎo)體外延片、薄膜材料檢測(cè)。設(shè)備內(nèi)置 3 種測(cè)量模式,可分別測(cè)定晶圓電阻率、體電阻率、面電阻率,適配不同材料檢測(cè)需求。探頭接觸樣品瞬間自動(dòng)觸發(fā)測(cè)量,簡(jiǎn)化操作流程,依靠 JOG 旋鈕快速切換與設(shè)置測(cè)量參數(shù),上手門(mén)檻低。配備 5 款可替換探頭,分別對(duì)應(yīng)低、中、高、超高阻以及太陽(yáng)能電池專(zhuān)用測(cè)量區(qū)間,用戶可根據(jù)待測(cè)樣品導(dǎo)電特性自由更換探頭,拓寬整機(jī)適用范圍。整機(jī)為臺(tái)式便攜一體化設(shè)計(jì),自帶可翻轉(zhuǎn)提手,便于在實(shí)驗(yàn)室、產(chǎn)線工位之間移動(dòng)。設(shè)備支持單點(diǎn)測(cè)量,樣品形狀無(wú)強(qiáng)制限制,僅需保證待測(cè)區(qū)域平整且直徑大于 20 毫米,片狀、圓形樣品均可檢測(cè)。可用于導(dǎo)電薄膜、化合物半導(dǎo)體、新型碳材料的來(lái)料檢驗(yàn)與工藝管控,實(shí)時(shí)監(jiān)控鍍膜、外延生長(zhǎng)工藝穩(wěn)定性,及時(shí)發(fā)現(xiàn)材料電阻率異常。

  • 適用場(chǎng)景適用于半導(dǎo)體實(shí)驗(yàn)室、光伏電池產(chǎn)線、新材料研發(fā)實(shí)驗(yàn)室,用于硅片、碳化硅、GaAs、GaN 外延片、ITO 導(dǎo)電膜、石墨烯、碳納米管等材料的電阻率、方阻無(wú)損檢測(cè),完成來(lái)料檢驗(yàn)、工藝穩(wěn)定性監(jiān)控與研發(fā)樣品測(cè)試。


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