1200℃布里奇曼晶體生長爐是實(shí)驗(yàn)室型立式雙溫區(qū)單晶制備設(shè)備，基于坩堝下降法原理，在真空 / 保護(hù)氣氛環(huán)境下，依靠可控縱向溫度梯度，使熔體定向凝固，生長小尺寸單晶體，也可用于合金定向凝固研究。設(shè)備通過坩堝（或爐體）精密低速移動，讓原料熔體穿過高溫熔化區(qū)?溫度梯度區(qū)?低溫結(jié)晶區(qū)，實(shí)現(xiàn)從下往上有序結(jié)晶，廣泛用于熱電晶體、鹵化物、半導(dǎo)體、光學(xué)、功能材料的研發(fā)制備。

1200℃布里奇曼爐部分技術(shù)參數(shù)：

1.爐體結(jié)構(gòu)：雙層殼體結(jié)構(gòu)，配有風(fēng)冷系統(tǒng)，外殼四周表面溫度小于45℃

2.爐膛材質(zhì)：真空吸附成型的優(yōu)質(zhì)高純氧化鋁纖維固化爐膛，保溫性能好

3.密封法蘭：不銹鋼快速擠壓密封法蘭

4.溫控系統(tǒng)：三溫區(qū)控溫，采用歐陸儀表溫度控制系統(tǒng)采用人工智能調(diào)節(jié)技術(shù)，具有PID調(diào)節(jié)、自整定功能，50組程序500步斷電或停機(jī)，再次啟動程序可以設(shè)置從斷電處或起始點(diǎn)啟動程序，也具有運(yùn)行，暫停，跳步，停止，復(fù)位等功能；控溫精度±1℃

5.顯示模式：液晶數(shù)顯

6.升降程序：觸摸屏中內(nèi)置本公司自主研發(fā)的PLC程序，畫面友好，操作簡單

7.加熱絲：電阻絲

8.測溫元件：K型熱電偶

9.可通氣氛：氮?dú)?/span>/氬氣/惰性氣體等

10.使用溫度：連續(xù)工作溫度≤1100℃

11.升溫速度：推薦≤10℃/min（可達(dá)20℃/min）

1200℃布里奇曼晶體生長爐產(chǎn)品特點(diǎn)：

1.雙溫區(qū)獨(dú)立控溫：精準(zhǔn)構(gòu)建陡峭可控溫度梯度，有利于獲得平整固?液界面，降低晶體缺陷、位錯、開裂風(fēng)險。

2.高精度低速傳動：步進(jìn) / 伺服驅(qū)動，生長速率可微調(diào)到 0.01mm/h，速度平穩(wěn)無抖動，滿足單晶慢生長工藝。

3.完備氣氛?真空系統(tǒng)：可真空除氣、充惰性氣體，抑制高溫材料氧化、揮發(fā)，適配易氧化、易揮發(fā)晶體原料。

4.全流程程序自動化：升溫?熔化?恒溫?晶體生長?退火?降溫整套工藝可編輯存儲，減少人工值守。

5.模塊化結(jié)構(gòu)：石英爐管拆裝方便，坩堝更換簡單；設(shè)備體積緊湊，適配高校、科研院所實(shí)驗(yàn)室環(huán)境。

6.安全防護(hù)：超溫斷電保護(hù)、過流保護(hù)，適合長時間連續(xù)晶體生長實(shí)驗(yàn)。