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RTP-SA-12半自動(dòng)快速退火爐是利用鹵素紅外燈作為熱源，利用極快的升溫速率，將晶圓或是材料在很短的時(shí)間加熱至300℃-1250℃，進(jìn)而消去晶圓或是原材料內(nèi)部某些缺點(diǎn)，改進(jìn)產(chǎn)品特性
半自動(dòng)快速退火爐RTP-SA-12詳細(xì)信息
RTP-SA-12半自動(dòng)快速退火爐是利用鹵素紅外燈作為熱源，利用極快的升溫速率，將晶圓或是材料在很短的時(shí)間加熱至300℃-1250℃，進(jìn)而消去晶圓或是原材料內(nèi)部某些缺點(diǎn)，改進(jìn)產(chǎn)品特性。
工作原理
快速退火爐采用的微電腦自動(dòng)控制系統(tǒng)，選用PID閉環(huán)控制溫度，能夠達(dá)到的控溫精度和溫度均勻性，而且可配置真空腔體，也可根據(jù)客戶(hù)加工工藝要求配備多路氣體。
行業(yè)應(yīng)用
快速熱處理工藝（RTP）
快速退火（RTA）
快速熱氧化（RTO）
化合物合金（砷化鎵、氮化物等）
多晶硅退火
歐姆接觸快速合金
產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)
暫無(wú)數(shù)據(jù)
應(yīng)用案例
產(chǎn)品推薦
桌面型快速退火爐RTP-Table-6
溫度可達(dá)1250℃，可測(cè)單晶片樣品尺寸為6英寸
全自動(dòng)雙腔快速退火爐RTP-DTS-8
全自動(dòng)雙腔設(shè)計(jì)，可兼容6-8英寸WAFER
產(chǎn)品尺寸 4-12英寸晶圓或者支持300*300mm產(chǎn)品，兼容12寸及以下晶圓
溫度范圍 室溫~1250℃
溫控方式 快速PID溫控
溫度均勻度 ＜500℃溫度均勻性：±1℃ ＞500℃時(shí)溫度均勻性：±1℃
升溫速度 ≤25℃/s（SiC載盤(pán)）
配件類(lèi)型
關(guān)鍵詞：退火爐
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