一：西門(mén)子DN200全程綜合水處理器維護(hù)概述

       全程綜合水處理器通過(guò)*實(shí)踐證明，在現(xiàn)今的水系統(tǒng)中普遍存在有結(jié)垢、腐蝕、污泥、在微生物繁殖等四大主要危害。水系統(tǒng)尤其是循環(huán)水系統(tǒng)的水質(zhì)問(wèn)題往往是綜合性的。以往采用的水處理設(shè)備由于單臺(tái)設(shè)備功能的局限性無(wú)法解決，因此需要通過(guò)進(jìn)一步的實(shí)用技術(shù)加以解決。我公司通過(guò)采用高頻技術(shù)與電能磁場(chǎng)效應(yīng)的結(jié)合方式，針對(duì)電化學(xué)腐蝕、結(jié)垢、菌藻繁殖的不同問(wèn)題，采用多重頻段及靜電高壓組合，設(shè)計(jì)制造了綜合水處理器。

二：西門(mén)子DN200全程綜合水處理器維護(hù) 原理

      綜合水處理器首先采用高頻技術(shù)，利用高頻電場(chǎng)力的作用使水活化，水中的Ca2+、Mg2+離子的運(yùn)動(dòng)速度降低，與水中的CO32-、SO42-等離子有效碰撞次數(shù)減少，靜電引力下降，所以受熱壁或管表而無(wú)法結(jié)垢，從而達(dá)到防垢的目的。高頻電磁場(chǎng)使力的滲透力與溶解度增大，并對(duì)金屬表面的水垢薄弱環(huán)節(jié)縱向滲透到金屬表面后，開(kāi)始沿金屬與水垢表面橫向滲透，使水垢呈片狀脫離金屬表面，從而達(dá)到除垢的目的。微電環(huán)境可遏制微生物的生長(zhǎng)，破壞其生存環(huán)境

三：西門(mén)子DN200全程綜合水處理器維護(hù) 參數(shù)

1 消耗功率：＜120W～600W

2 工作環(huán)境要求：溫度-25℃～+50℃   相對(duì)溫度＜95%

3 工作溫度（被處理介質(zhì)溫度）：-25℃～+50℃